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技術(shù)進(jìn)展
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硅粉常壓直接氮化制備氮化硅粉的研究
來(lái)源:硅酸鹽通報(bào)    更新時(shí)間:2013-06-06 09:18:14    瀏覽次數(shù):
 
        北京科技大學(xué)尹少武等以平均粒徑為2.8 um 的硅粉為原料,添加氮化硅粉作為稀釋劑,對(duì)常壓氮?dú)庀轮苯拥苽銼i3N4粉的工藝進(jìn)行了研究,分析了硅粉常壓直接氮化制備Si3N4粉過(guò)程中稀釋劑種類、稀釋劑添加比例、氮化溫度、氮化時(shí)間等因素對(duì)硅的氮化過(guò)程的影響。通過(guò)一系列的探索,發(fā)現(xiàn)當(dāng)添加30%的α- Si3N4粉作為稀釋劑、氮化溫度為1550℃、氮化時(shí)間為10min時(shí),合成了氮含量為39.4%,游離硅為0.7%,主要為α相、含部分β相的Si3N4 粉,實(shí)現(xiàn)了硅粉常壓高溫直接氮化工藝制備Si3N4粉。
 
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