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技術(shù)進(jìn)展
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溫度對(duì)碳化硅粉料合成的影響
來源：電子工藝技術(shù)    更新時(shí)間：2013-06-06 10:03:38    瀏覽次數(shù)：
 
         中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所田牧等采用高溫合成方法生成了高純碳化硅（SiC）粉。采用高純碳(C)粉和硅(Si)粉直接反應(yīng)，不需外加添加劑，通過控制外部加熱使Si和C持續(xù)反應(yīng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在相同反應(yīng)時(shí)間條件下，不同加熱溫度對(duì)生成的SiC粉料的粒度和純度有很大影響。當(dāng)反應(yīng)溫度從1920℃升高到1966℃時(shí)，生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。當(dāng)溫度繼續(xù)升高，SiC粉的粒度逐漸減小。溫度高于2000℃時(shí)，SiC粉的粒度趨于約20μm。同時(shí)，X射線衍射圖分析表明，溫度高于2000℃時(shí)，生成的SiC粉料中C比例會(huì)明顯增加。
 
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