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技術(shù)進(jìn)展
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三坩堝提拉法生長鋱鎵石榴石單晶研究
來源:人工晶體學(xué)報    更新時間:2013-06-22 20:00:26    瀏覽次數(shù):
 
        元亮科技有限公司張艷等采用三坩堝提拉法生長出高質(zhì)量鋱鎵石榴石(Tb3Ga5O12,TGG)單晶,晶體尺寸為Ф25mm×40mm。通過X射線衍射、雙晶衍射分析討論TGG單晶的晶體結(jié)構(gòu)和單晶性,并采用He-Ne激光費(fèi)爾德常數(shù)測試裝置測定TGG單晶的費(fèi)爾德常數(shù)。結(jié)果表明:采用三坩堝提拉法生長的TGG單晶具有<111>取向、強(qiáng)度高,雙晶搖擺曲線半峰寬為17s;晶體在632.8nm處的費(fèi)爾德常數(shù)為0.553min/cm·Oe。



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