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專利信息
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一種低溫制備氮化硅粉體材料的方法
來源：    更新時間：2013-06-11 21:08:03    瀏覽次數(shù)：
專利名稱：一種低溫制備氮化硅粉體材料的方法
專利持有人：山東大學(xué)
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：發(fā)明人：白玉俊，王成國，李木森，王正博，亓永新，朱波，王延相申請人：山東大學(xué)申請?zhí)枺篊N200410023753.0氮化硅(Si3N4)粉體材料的制備方法,屬于無機非金屬粉體材料制備方法技術(shù)領(lǐng)域。通過反應(yīng)、清洗、抽濾、烘干等工藝,制備Si3N4粉體,使用的設(shè)備簡單而且...
信息描述
發(fā)明人：白玉俊，王成國，李木森，王正博，亓永新，朱波，王延相   
申請人：山東大學(xué) 
申請?zhí)枺?/strong>CN200410023753.0
        氮化硅(Si3N4)粉體材料的制備方法,屬于無機非金屬粉體材料制備方法技術(shù)領(lǐng)域。通過反應(yīng)、清洗、抽濾、烘干等工藝,制備Si3N4粉體,使用的設(shè)備簡單而且安全性好,溫度只有100℃,反應(yīng)物的轉(zhuǎn)化率為90％以上,反應(yīng)產(chǎn)物處理簡單,制備工藝穩(wěn)定,生產(chǎn)效率高。產(chǎn)品高溫強度高,耐熱、耐磨,化學(xué)穩(wěn)定性好；粉體的尺寸在五十納米到二百納米之間。


http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2013/0926/20130926091957111.pdf
 
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