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| 硅粉在中溫微正壓條件下氮化合成氮化硅粉體的方法 |
| 來源： 更新時間：2013-06-11 21:20:15 瀏覽次數(shù)： |
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專利名稱：硅粉在中溫微正壓條件下氮化合成氮化硅粉體的方法
專利持有人：中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：發(fā)明人：李江濤，楊建輝，楊增朝，韓林森，王福，陳義祥申請人：中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所申請?zhí)枺篊N201110296695.9 本發(fā)明屬于非氧化物氮化硅陶瓷粉體的制備，涉及在中溫微正壓條件下，以溫度場誘發(fā)硅粉燃燒方式合成氮化硅粉體的方法。本發(fā)明是以硅粉和... |
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發(fā)明人：李江濤，楊建輝，楊增朝，韓林森，王福，陳義祥
申請人：中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
申請?zhí)枺?/strong>CN201110296695.9
本發(fā)明屬于非氧化物氮化硅陶瓷粉體的制備，涉及在中溫微正壓條件下，以溫度場誘發(fā)硅粉燃燒方式合成氮化硅粉體的方法。本發(fā)明是以硅粉和含氮化合物為原料，按不同的組分配比配制成反應(yīng)混合料，經(jīng)短時間研磨混合后，將混合料裝于料舟內(nèi)，并放入密閉的可加熱耐壓的反應(yīng)爐中，經(jīng)抽真空后充入一定壓力的含氮非氧化性氣體。通電預(yù)熱混合料，溫度升至500～900℃，通過局部加熱或預(yù)埋點火塊自燃方式，引發(fā)燃燒合成反應(yīng)，合成后的氮化硅產(chǎn)物隨爐冷卻，經(jīng)初碎后得到所述的氮化硅粉體。本發(fā)明結(jié)合了硅粉高溫氮化工藝和硅粉燃燒合成氮化硅工藝的優(yōu)點，降低了氮化反應(yīng)溫度和合成所需的壓力，縮短了生產(chǎn)周期，大幅度降低了氮化硅粉體的生產(chǎn)成本。
http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2013/0926/20130926091440935.pdf
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