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專利信息
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一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法
來源：    更新時間：2013-06-11 21:23:07    瀏覽次數(shù)：
專利名稱：一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法
專利持有人：合肥工業(yè)大學
所屬行業(yè)：
內容摘要：發(fā)明人：鄭治祥，姜坤申請人：合肥工業(yè)大學申請?zhí)枺篊N201210045285.1 本發(fā)明公開了一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法，是以水玻璃為硅源，常溫下將氯化銨溶液攪拌加入水玻璃溶液中制備得到硅酸凝膠，向硅酸凝膠中加水稀釋后抽慮以除去硅酸凝膠中的鈉...
信息描述
發(fā)明人：鄭治祥，姜坤   
申請人：合肥工業(yè)大學 
申請?zhí)枺?/strong>CN201210045285.1  
        本發(fā)明公開了一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法，是以水玻璃為硅源，常溫下將氯化銨溶液攪拌加入水玻璃溶液中制備得到硅酸凝膠，向硅酸凝膠中加水稀釋后抽慮以除去硅酸凝膠中的鈉離子，隨后加入炭黑，碳硅摩爾比為2-4.5∶1，混合均勻后干燥得到前驅體；將前驅體在氮氣氣氛中于1300-1450℃保溫3-10小時得到粗產(chǎn)品；將粗產(chǎn)品于650℃熱處理4-6小時得到亞微米級單相α-Si3N4粉體。本發(fā)明方法工藝流程簡單，原料價格低廉；合成溫度比一般現(xiàn)有技術低，合成的氮化硅粉體較純凈，硅酸前驅體的疏松多孔性有利于高溫反應時N2的自由通透，大大提高了氮化率，抑制了雜質相SiC的產(chǎn)生。


http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2013/0926/20130926091310461.pdf
 
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