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| 燃燒合成均質(zhì)納米碳化硅粉體的方法 |
| 來源： 更新時(shí)間：2013-06-11 21:30:21 瀏覽次數(shù)： |
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專利名稱：燃燒合成均質(zhì)納米碳化硅粉體的方法
專利持有人：中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所，遼寧佳益五金礦產(chǎn)有限公司
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：發(fā)明人：李江濤，楊坤，劉光華，杜吉?jiǎng)?，楊術(shù)亮，侯曉奕，孫輝申請(qǐng)人：中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所，遼寧佳益五金礦產(chǎn)有限公司申請(qǐng)?zhí)枺篊N200710121857.9 本發(fā)明屬于無(wú)機(jī)納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及燃燒合成均質(zhì)納米碳 化硅粉體的方法。以硅粉、碳粉、氮... |
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發(fā)明人：李江濤，楊坤，劉光華，杜吉?jiǎng)?，楊術(shù)亮，侯曉奕，孫輝
申請(qǐng)人：中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所，遼寧佳益五金礦產(chǎn)有限公司
申請(qǐng)?zhí)枺?/strong>CN200710121857.9
本發(fā)明屬于無(wú)機(jī)納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及燃燒合成均質(zhì)納米碳 化硅粉體的方法。以硅粉、碳粉、氮化硅或碳化硅添加劑和聚四氟乙烯為原料,按照一定比例配制成反應(yīng)物料,經(jīng)研磨混合后,用石墨坩堝盛裝物料, 放入密閉高壓反應(yīng)合成裝置中；反應(yīng)裝置抽真空后充入氮?dú)庵吝m當(dāng)壓力,通 過采用局部電熱點(diǎn)火或者局部高頻感應(yīng)加熱方式引發(fā)燃燒合成反應(yīng)；待反應(yīng) 完畢,將產(chǎn)物收集處理,可得到均質(zhì)納米碳化硅粉體,其平均晶粒尺寸小于 100nm。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了利用燃燒合成技術(shù)低成本制備高質(zhì)量納米碳化硅粉體, 且工藝實(shí)施簡(jiǎn)單、方便,合成過程節(jié)能、清潔無(wú)污染。
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