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| 用于半導(dǎo)體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法 |
| 來源： 更新時間：2013-06-11 21:33:24 瀏覽次數(shù)： |
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專利名稱：用于半導(dǎo)體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法
專利持有人：山東大學(xué)
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：發(fā)明人：胡小波，寧麗娜，李娟，王英民，徐現(xiàn)剛申請人：山東大學(xué)申請?zhí)枺篊N200810016665.6 本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法,包括以下步驟：(1)按摩爾比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)將所取Si粉和C粉混合均勻后放入坩堝中,... |
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發(fā)明人：胡小波，寧麗娜，李娟，王英民，徐現(xiàn)剛
申請人：山東大學(xué)
申請?zhí)枺?/strong>CN200810016665.6
本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法,包括以下步驟：(1)按摩爾比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)將所取Si粉和C粉混合均勻后放入坩堝中, 將坩堝置于中頻感應(yīng)加熱爐中,對生長室抽真空,將溫度升高至1000℃；向生長室中充入高純氬氣、氦氣或者氬氣和氫氣的混合物,加熱至合成溫度1500℃,保持一定的反應(yīng)時間后降至室溫；(3)將一次合成中所得產(chǎn)物粉末混合均勻,在1600℃到2000℃二次合成溫度,合成時間2小時-10小時,降至室溫即可得到適于半導(dǎo)體SiC單晶生長的高純SiC粉料。本發(fā)明采用二次合成法,不僅可以使初次合成時剩余的Si和C單質(zhì)完全反應(yīng),且有效去除Si粉和C粉中攜帶的大部分雜質(zhì)元素。
http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2013/0926/20130926090856505.pdf
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