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| 高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法 |
| 來源： 更新時(shí)間：2013-06-11 21:39:18 瀏覽次數(shù)： |
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專利名稱：高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法
專利持有人：上海硅酸鹽研究所中試基地，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：發(fā)明人：高攀，陳建軍，嚴(yán)成鋒，劉熙，孔海寬，忻雋，鄭燕青，施爾畏申請(qǐng)人：上海硅酸鹽研究所中試基地，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所申請(qǐng)?zhí)枺篊N201210207135.6 本發(fā)明涉及一種高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法，包括：配料工序：將高純Si粉和高純C粉混合... |
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發(fā)明人：高攀，陳建軍，嚴(yán)成鋒，劉熙，孔海寬，忻雋，鄭燕青，施爾畏
申請(qǐng)人：上海硅酸鹽研究所中試基地，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
申請(qǐng)?zhí)枺?/strong>CN201210207135.6
本發(fā)明涉及一種高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法，包括：配料工序：將高純Si粉和高純C粉混合均勻，其摩爾比為1：1～1.5：1；高真空熱處理工序：將高純Si和C粉放入坩堝中，然后置于加熱爐中，對(duì)加熱爐的生長室抽高真空至9×10-4Pa以下，同時(shí)將溫度升高至600～1300℃，保持2小時(shí)以上；惰性氣體清洗工序：向生長室中充入第一規(guī)定壓力的高純惰性氣體，保持1小時(shí)以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，該工序重復(fù)2次以上；以及高溫合成工序：在第二規(guī)定壓力的高純惰性氣體下，于反應(yīng)溫度1500～2500℃下，保持反應(yīng)2小時(shí)以上，而后降至室溫，即可得到氮含量在15ppm以下的高純碳化硅粉體。
http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2013/0926/20130926090626244.pdf
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