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一種一維金紅石二氧化鈦納米棒陣列膜的制備方法
來源：    更新時間：2013-06-13 19:39:05    瀏覽次數(shù)：
專利名稱：一種一維金紅石二氧化鈦納米棒陣列膜的制備方法
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內(nèi)容摘要：發(fā)明人：林昌健;呂妙強;鄭大江申請人：廈門大學申請?zhí)枺篊N201110325519.3 一種一維金紅石TiO2納米棒陣列膜的制備方法,涉及一種染料敏化太陽能電池光陽極材料。提供一種具有高比表面積、可有效提高染料敏化太陽能電池效率的一維金紅石TiO2納米棒陣列膜的制...
信息描述
發(fā)明人：林昌健;呂妙強;鄭大江
申請人：廈門大學
申請?zhí)枺?/strong>CN201110325519.3
        一種一維金紅石TiO2納米棒陣列膜的制備方法,涉及一種染料敏化太陽能電池光陽極材料。提供一種具有高比表面積、可有效提高染料敏化太陽能電池效率的一維金紅石TiO2納米棒陣列膜的制備方法。在導電玻璃上制備一層金紅石TiO2納米棒陣列膜,然后經(jīng)化學刻蝕法制備高比表面積的TiO2納米棒陣列膜,再把高比表面積的TiO2納米棒陣列膜在馬弗爐中進行退火處理,即得到高比表面積的一維金紅石TiO2納米棒陣列膜光陽極材料,該陣列膜膜層厚度在1～13μm。用于光陽極在染料敏化電池中的效率高達5.75％。該方法具有操作簡單、操作時間短、制備過程成本低廉、對染料敏化太陽能電池性能提高明顯、易于實現(xiàn)工業(yè)化等優(yōu)點。


http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2013/0916/20130916045336838.pdf
 
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