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技術(shù)成果
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反應(yīng)燒結(jié)氮化硅-碳化硅復(fù)合材料的氮化機(jī)理
來(lái)源：硅酸鹽學(xué)報(bào)    更新時(shí)間：2013-06-30 18:38:59    瀏覽次數(shù)：
 
        北京科技大學(xué)李勇等為分析反應(yīng)燒結(jié)氮化硅結(jié)合碳化硅(Si3N4-SiC)材料中微觀結(jié)構(gòu)和氮化硅分布不均勻的原因,對(duì)在隔焰燃?xì)獾笫礁G中應(yīng)用反應(yīng)燒結(jié)氮化方法制備的氮化硅結(jié)合碳化硅復(fù)合材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)研究和熱力學(xué)分析。結(jié)果表明:材料中的氮化硅以纖維狀和柱狀兩種形狀存在。Si的氮化機(jī)理為:Si首先被氧化成氣態(tài)SiO,降低了體系的氧分壓,當(dāng)氧分壓足夠低時(shí),Si與N2直接反應(yīng)形成柱狀Si3N4,氣態(tài)SiO亦可與N2反應(yīng)生成氮化硅,這是一個(gè)氣-氣反應(yīng),故生成的Si3N4為纖維狀。氮化反應(yīng)前SiO主要分布于材料孔隙和表面,因而生成的氮化硅分布不均勻,導(dǎo)致了反應(yīng)燒結(jié)Si3N4-SiC材料結(jié)構(gòu)的不均勻。


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