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技術(shù)進(jìn)展
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碳化硅納米晶須的制備及熱穩(wěn)定性研究
來(lái)源：浙江理工大學(xué)學(xué)報(bào)    更新時(shí)間：2013-06-30 18:20:38    瀏覽次數(shù)：
 
        浙江理工大學(xué)石強(qiáng)等以石墨粉和硅粉為原料,在1550℃下,采用碳熱還原法制得碳化硅納米晶須。X射線衍射(XRD)和場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)表明,產(chǎn)物主要由3C-SiC納米晶須和顆粒組成,晶須直徑為100-150nm,長(zhǎng)度為5-15mm。在空氣氣氛中的熱重分析(TGA)實(shí)驗(yàn)顯示,溫度高于400℃時(shí),產(chǎn)物質(zhì)量逐漸增加,溫度至800℃時(shí)質(zhì)量增加了約1%,增重現(xiàn)象為SiC納米晶須的氧化所致。產(chǎn)物經(jīng)1100℃氧化后的XRD表明,SiC被部分氧化生成了無(wú)定形二氧化硅。空氣氣氛中,產(chǎn)物在700、900、1100℃的熱穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)表明,在1100℃時(shí),SiC納米晶須形貌發(fā)生了較大變化,其表面出現(xiàn)熔融并粘連在一起。高溫下的氧化反應(yīng)是導(dǎo)致晶須形貌變化的主要原因。


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