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| 一種氧化鋅壓敏電阻單晶界老化特性的測試方法 |
| 來源：中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時間：2014-02-17 20:42:32 瀏覽次數(shù)： |
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專利名稱：一種氧化鋅壓敏電阻單晶界老化特性的測試方法
專利持有人：清華大學(xué)
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：本發(fā)明涉及一種氧化鋅壓敏電阻單晶界老化特性的測試方法，屬于電工材料技術(shù)領(lǐng)域。首先制備了具有雙晶結(jié)構(gòu)的氧化鋅樣品；然后針對氧化鋅樣品進行電、熱或電熱共存的老化，并在老化過程中進行電聲脈沖法空間電荷測量，從而得到不同老化程度時氧化鋅樣品的晶... |
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發(fā)明人：何金良,程晨璐,胡軍,曾嶸,張波,余占清
申請人：清華大學(xué)
申請?zhí)枺?/strong>CN201310269340.X
本發(fā)明涉及一種氧化鋅壓敏電阻單晶界老化特性的測試方法，屬于電工材料技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于該方法包括以下步驟：（1）制備用于空間電荷測量的具有雙晶結(jié)構(gòu)的氧化鋅樣品：（1?1）制備一塊長為20毫米、寬為20毫米、高為2毫米的氧化鋅單晶，對氧化鋅單晶的用于接觸摻雜薄層的接觸面打磨成鏡面態(tài)，氧化鋅單晶的接觸面晶軸取向為[0001]、[11?20]或[10?10]；（1?2）制備流延漿料，流延漿料中各組分的質(zhì)量百分比為：上述金屬氧化物混合粉料中，各組分的質(zhì)量百分比為：將用于制備流延漿料的上述組分混合并球磨6～12小時，得到混合均勻的水基漿料。（1?3）采用水基流延的方法，用上述流延漿料制備厚度為50～200微米的摻雜薄膜，在60～80℃溫度下干燥4～6小時，將得到的摻雜薄膜切割成與氧化鋅單晶的上述接觸面相同面積的小塊；（1?4）將上述制備的氧化鋅單晶與上述摻雜薄膜小塊相疊，制成一個ZnO單晶—摻雜薄膜—ZnO單晶的三明治結(jié)構(gòu)，其中摻雜薄膜與上述接觸面緊密貼合，并使兩個ZnO單晶中的一個ZnO單晶相對于摻雜薄膜和另一個ZnO單晶共軸旋轉(zhuǎn)0～90°，得到具有不同共格晶界類型的雙晶結(jié)構(gòu)ZnO樣品；（1?5）將上述ZnO樣品置于磨具中，加熱至1050℃，保溫60分鐘后，隨爐冷卻；（2）對上述氧化鋅樣品的上下表面持續(xù)施加1～3V的直流偏壓，并使環(huán)境溫度從0～80℃逐漸升溫，每隔10分鐘，對氧化鋅樣品的上下表面施加脈沖寬度為1～10納秒、幅值為10～100伏的電脈沖，采用電聲脈沖法測量氧化鋅樣品內(nèi)部的空間電荷分布，得到跟測量時間的氧化鋅樣品的空間電荷分布信號；（3）將上述空間電荷分布信號進行去噪、去卷積處理，并從各測量時間的空間電荷分布信號中截取晶界臨近區(qū)域的信號，根據(jù)晶界臨近區(qū)域信號中氧化鋅樣品內(nèi)不同位置的空間電荷幅值的減小，觀測氧化鋅樣品內(nèi)部的帶電離子的遷移與中和，從而得到氧化鋅壓敏電阻的單晶界老化特性。
本發(fā)明的老化特性測試方法可在老化過程中直接觀測到氧化鋅壓敏電阻內(nèi)部的帶電離子遷移與中和，從而得到氧化鋅壓敏電阻的單晶界老化特性。
http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2014/0217/20140217084708931.pdf
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