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專利信息
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一種高嶺土-硅烷嵌合插層改性復(fù)合物的制備方法
來源：中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時間：2014-03-19 19:55:55    瀏覽次數(shù)：
專利名稱：一種高嶺土-硅烷嵌合插層改性復(fù)合物的制備方法
專利持有人：中國礦業(yè)大學(xué)（北京）
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：本發(fā)明涉及一種制備高嶺土-硅烷有機插層復(fù)合物的方法。將硅烷嫁接入高嶺土層間，形成高嶺土-層間硅烷嵌合插層體，其特征在于其層間距d(001)在2 0nm到5 9nm之間。本發(fā)明方法是將硅烷以化學(xué)鍵合作用方式嫁接入層內(nèi)，且嫁接率高，不同于以往簡單的表面吸附...
信息描述
發(fā)明人：劉欽甫,李曉光,程宏飛,郭鵬
申請人：中國礦業(yè)大學(xué)（北京）   
申請?zhí)枺?/strong>CN201310280849.4 
       本發(fā)明涉及一種制備高嶺土-硅烷有機插層復(fù)合物的方法。將硅烷嫁接入高嶺土層間，形成高嶺土-層間硅烷嵌合插層體，其特征在于其層間距d(001)在2.0nm到5.9nm之間。本發(fā)明方法是將硅烷以化學(xué)鍵合作用方式嫁接入層內(nèi)，且嫁接率高，不同于以往簡單的表面吸附的改性過程。可以將硅烷的多個功能基團與高嶺土的特有功能特性相互結(jié)合補償，形成具有更好分散性、吸附性、表面活性的復(fù)合物，甚至與有機母質(zhì)在原位發(fā)生結(jié)合而使片層剝離，達(dá)到納米尺度上的充填。本發(fā)明在納米復(fù)合材料、橡膠塑料填充材料領(lǐng)域具有較大的應(yīng)用前景。
 
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