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| 烏克蘭碳化硅專家來(lái)太原開展相關(guān)研究工作 |
| 來(lái)源：中國(guó)粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時(shí)間：2015-03-16 09:28:04 瀏覽次數(shù)： |
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（中國(guó)粉體技術(shù)網(wǎng)/班建偉）近日，由山西省科技廳獲悉，中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所引進(jìn)烏克蘭ROSTOCK公司碳化硅粉料技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)成員BURLACHENKO YEVHEN(布樂(lè)琴科)博士先期抵達(dá)，并入職中電二所，未來(lái)一年，布樂(lè)琴科博士將就高純碳化硅粉料合成工藝技術(shù)與中方技術(shù)人員進(jìn)行工作交流，使我方逐步掌握高純SiC粉料雜質(zhì)元素去除技術(shù)、合成粉料晶型控制工藝技術(shù)、高純SiC粉料合成提純技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)高純SiC粉料合成設(shè)備調(diào)試方法突破，完成整套工藝技術(shù)消化吸收。
目前，高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)所需高純粉料短缺，且半絕緣SiC單晶生長(zhǎng)工藝所需高純SiC粉料合成設(shè)備及工藝技術(shù)受限于國(guó)外技術(shù)，阻礙了我國(guó)SiC寬禁帶半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展，急需實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)突破。烏克蘭ROSTOCK公司OLEG SERGEEV教授、BURLACHENKO YEVHEN博士團(tuán)隊(duì)在高純SiC粉料合成設(shè)備與工藝技術(shù)方面居于世界領(lǐng)先水平，OLEG SERGEEV教授領(lǐng)導(dǎo)的高純碳化硅分料研究小組從事粉料合成研究30余年，并曾獲得烏克蘭國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)提名。目前，中電二所已就團(tuán)隊(duì)引進(jìn)與烏方達(dá)成協(xié)議。
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