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前端技術(shù)
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北京大學(xué)率先研制成功10nm碳納米管CMOS器件
來源：中國(guó)粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間：2015-04-03 11:51:18    瀏覽次數(shù)：
 
        近日，在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展專項(xiàng)支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在全世界范圍內(nèi)首次成功研制出10納米碳納米管CMOS器件，與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5，并在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。
        課題的研究成果表明在10納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，碳納米管CMOS器件相對(duì)于硅基CMOS器件具有巨大優(yōu)勢(shì)，這將大大增強(qiáng)研究機(jī)構(gòu)和芯片公司對(duì)碳納米管電子學(xué)的信心，為2020年之后的集成電路技術(shù)的發(fā)展和選擇奠定重要基礎(chǔ)。
　　該團(tuán)隊(duì)下一步將繼續(xù)優(yōu)化相關(guān)制備工藝，期望最終能夠通過技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。

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