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申請?zhí)枺篊N201410511422

申請（專利權(quán)）人：浙江大學(xué)；

發(fā)明人：林時勝；章盛嬌；李曉強；吳志乾；

本發(fā)明涉及一種超薄碳化硅材料的制備方法，將硅源與碳源相距0-100cm放置于反應(yīng)爐管內(nèi)；以1℃/min-300℃/min的速率升溫至600℃－2300℃，反應(yīng)爐管抽至真空度為10-5-105Pa，在保護氣氛下反應(yīng)1-2880min；然后以1℃/min-500℃/min的速率冷卻至室溫，得到超薄碳化硅材料。本發(fā)明制備工藝簡單，制得的超薄碳化硅（5納米厚度以下）是一種具有寬禁帶并且能夠穩(wěn)定存在的二維材料，它的誕生克服了石墨烯沒有禁帶和單層二硫化鉬不能穩(wěn)定存在的缺點。可廣泛用于量子光源、光電、半導(dǎo)體原型器件、微電子電路、射頻器件、集成電路、光催化、海水淡化、納米能源、復(fù)合材料等技術(shù)領(lǐng)域。