“十三五”開年之際，科技部的國家重點研發(fā)計劃的多個重點專項如期而至。在納米專項當(dāng)中，石墨烯等納米碳材料，碳基納米電子器件，納米能量存儲材料，新型二維原子晶體材料等成為2016年優(yōu)先支持方向。2月初，科技部官網(wǎng)發(fā)布《科技部關(guān)于發(fā)布國家重點研發(fā)計劃納米科技等重點專項2016年度項目申報指南的通知》。根據(jù)“自上而下”和“自下而上”相結(jié)合的原則，科技部會同相關(guān)部門，遵循國家重點研發(fā)計劃新的項目形成機(jī)制，面向2016年凝練形成了若干重點專項并研究編制了各重點專項實施方案，已經(jīng)國家科技計劃（專項、基金等）管理戰(zhàn)略咨詢與綜合評審特邀委員會（以下簡稱“特邀咨評委”）和部際聯(lián)席會議審議通過，并按程序報國務(wù)院批復(fù)同意。
1. 新型納米制備與加工技術(shù)
1.1新型碳納米材料的制備與光電功能研究
研究內(nèi)容：手性碳納米管、石墨烯納米帶、高質(zhì)量石墨烯（碳單層或少層）和石墨炔等納米碳材料的宏量可控制備與可控?fù)诫s，碳基納米結(jié)構(gòu)中的物理新效應(yīng)與光電功能的高效調(diào)控。
考核指標(biāo)：實現(xiàn)面積大于2平方厘米和密度大于100根/微米的單壁碳納米管平行陣列的可控制備方法；實現(xiàn)高品質(zhì)單層石墨烯的連續(xù)可控制備方法；建立面積大于平方分米高取向石墨炔薄膜（厚度小于10納米）的制備技術(shù)；建立碳納米材料在光電子和光電轉(zhuǎn)換器件中的應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)，實現(xiàn)在顯示驅(qū)動和柔性電子器件中的應(yīng)用示范。
2. 納米表征與標(biāo)準(zhǔn)
2.3納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)與標(biāo)準(zhǔn)樣品
研究內(nèi)容：面向重要納米產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，開展納米性能檢測標(biāo)準(zhǔn)研究，納米標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)與標(biāo)準(zhǔn)樣品研制，包括納米技術(shù)術(shù)語和定義、測量和表征、健康安全和環(huán)境、材料規(guī)格等。
考核指標(biāo)：制定納米結(jié)構(gòu)基本性質(zhì)的系列納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，建立納米制造技術(shù)和重大應(yīng)用中納米性能檢測的系列標(biāo)準(zhǔn)化方法及評價規(guī)范，完成系列國家一級、二級納米標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)/標(biāo)準(zhǔn)樣品，主持制定納米技術(shù)國家標(biāo)準(zhǔn)20—40項，主導(dǎo)制定國際納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)（ISO，IEC）10—20項。
3.納米信息材料與器件
3.2 碳基納米電子器件與集成
研究內(nèi)容：高性能碳基納米晶體管的制備及大規(guī)模集成，碳基和半導(dǎo)體集成電路的混合集成。亞10納米碳基CMOS器件制備技術(shù)；芯片用碳管材料的可控和批量制備；新型器件在柔性襯底上的基本科學(xué)與技術(shù)問題。
考核指標(biāo)：實現(xiàn)集成電路用高純半導(dǎo)體碳納米管材料的批量制備，建立碳基納米電路與硅基CMOS集成電路的混合集成工藝；碳納米管平行陣列中半導(dǎo)體純度大于99%，碳基納米CMOS場效應(yīng)晶體管柵長小于10納米，本征門延時小于0.1 ps，碳基納米集成電路規(guī)模大于1000門級，實現(xiàn)4位碳基CPU的功能演示；實現(xiàn)柔性碳納米器件在可穿戴裝備上的應(yīng)用。
4新型二維原子晶體材料和器件原理
研究內(nèi)容：超薄溝道、高載流子遷移率、帶隙可調(diào)控的高性能二維原子晶體材料的精準(zhǔn)構(gòu)筑和制備，研究帶隙、摻雜等關(guān)鍵物性調(diào)控以及自旋、能谷等信息單元操控中的科學(xué)問題，構(gòu)建新穎器件原型。
考核指標(biāo)：發(fā)現(xiàn)和合成新的高性能二維原子晶體材料并完成結(jié)構(gòu)和性能表征；制備出宏觀尺度、結(jié)構(gòu)完整和性能優(yōu)異的二維原子晶體薄膜；演示針對下一代高速、低功耗信息處理和高靈敏探測要求的二維原子晶體邏輯器件、高頻射頻器件、光電子發(fā)射和探測器件等，建立相關(guān)器件原理和物理模型，發(fā)展功能協(xié)同與集成技術(shù)，占領(lǐng)二維原子晶體材料和器件研究的國際制高點。
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