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技術(shù)進展
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碳化硅遇上石墨烯可以儲存更多能量
來源:中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時間:2017-05-31 09:00:03    瀏覽次數(shù):
 
  通過在碳化硅的石墨烯的完美表面上引入缺陷,瑞典林雪平大學(xué)的研究人員增加了存儲電荷的材料的容量。這一結(jié)果增加了我們對如何使用這種超薄材料的了解。
  由石墨烯生產(chǎn)的最薄的材料由單層碳原子組成。它們形成一個原子厚度的雞絲結(jié)構(gòu),具有獨特的性質(zhì)。比鋼高出約200倍,靈活性高。它是透明的,但氣體和液體不能通過它。此外,它是一個很好的導(dǎo)電體。關(guān)于如何使用這種納米材料有很多想法,對未來應(yīng)用的研究很激烈。
  林雪平大學(xué)物理系,化學(xué)與生物學(xué)系科學(xué)與技術(shù)系首席研究工程師米哈伊爾·瓦金(Mikhail Vagin)說:“石墨烯是令人著迷的,但是學(xué)習(xí)難度很大。這也是導(dǎo)致難以理解石墨烯性質(zhì)的因素之一就是所謂的“各向異性”材料。這意味著當(dāng)在碳原子層的平面上測量時其性質(zhì)不同于在邊緣測量的那些。此外,通過以幾種方式生產(chǎn)石墨烯在原子級的行為的嘗試是復(fù)雜的。具有許多邊緣的小薄片中的石墨烯的性質(zhì)在幾個方面與產(chǎn)生的面積約1cm 2的片狀石墨烯的性質(zhì)不同。   
 
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碳化硅上的石墨烯
 
  進行研究的研究人員使用了在科林普林大學(xué)開發(fā)的方法在碳化硅晶體上制造的石墨烯。當(dāng)碳化硅被加熱到2000℃時,表面上的硅原子移動到氣相,并且只剩下碳原子。由于石墨烯層的高質(zhì)量及其先天惰性,石墨烯與其周圍環(huán)境不容易反應(yīng),而應(yīng)用通常依賴于材料和周圍環(huán)境之間的受控相互作用,如氣體分子?,F(xiàn)場研究人員正在進行的討論是,是否可能激活平面上的石墨烯或是否需要邊緣。LiU研究人員調(diào)查了以受控方式引入表面缺陷時會發(fā)生什么,并以這種方式試圖更詳細地了解石墨烯的性質(zhì)如何與其結(jié)構(gòu)相關(guān)。
  Mikhail Vagin說:“被稱為”陽極氧化“的電化學(xué)過程會破壞石墨烯層,從而產(chǎn)生更多的邊緣。我們測量了陽極氧化石墨烯的性質(zhì),發(fā)現(xiàn)材料儲存電能的能力相當(dāng)高。
  資料來源:中國材料網(wǎng)


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