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專利信息
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一種碳化硅基復(fù)合材料表面SiC涂層的制備方法
來源：中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時間：2017-02-01 09:19:31    瀏覽次數(shù)：
專利名稱：一種碳化硅基復(fù)合材料表面SiC涂層的制備方法
專利持有人：航天材料及工藝研究所;中國運載火箭技術(shù)研究院
所屬行業(yè)：復(fù)合材料
內(nèi)容摘要：本發(fā)明涉及一種復(fù)合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用反應(yīng)熔滲法制備涂層,可實現(xiàn)制備涂層的同時進(jìn)一步提高基材的致密度；通過碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。
信息描述
申請?zhí)枺?/strong>CN201610282651.3
申請（專利權(quán)）人：航天材料及工藝研究所;中國運載火箭技術(shù)研究院
發(fā)明人：龔曉冬;李軍平;張國兵;孫新;常京華;馮志海

本發(fā)明涉及一種復(fù)合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域。將硅粉包埋于碳化硅基復(fù)合材料表面,高溫真空熔滲,使復(fù)合材料包埋于熔體之中；然后將包覆熔體的復(fù)合材料置于過量碳源之中,再次高溫?zé)崽幚怼Ｇ謇肀砻鏆堅蠹纯傻玫胶蠸iC涂層的復(fù)合材料。本發(fā)明采用反應(yīng)熔滲法制備涂層,可實現(xiàn)制備涂層的同時進(jìn)一步提高基材的致密度；通過碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。
 
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