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技術成果
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低熱膨脹系數(shù)納米碳化硅/聚酰亞胺復合薄膜的制備與性能
來源：復合材料學報    更新時間：2013-06-30 18:12:26    瀏覽次數(shù)：
 
        北京化工大學和北京科技大學呂靜等以原位分散聚合法制備出納米碳化硅/聚酰亞胺(n-SiC/PI)復合薄膜,采用SEM、熱機械分析儀(TMA)、阻抗分析儀和熱重分析(TG)研究了所制備薄膜的表面形貌、熱膨脹、介電性能及熱穩(wěn)定性。結果表明:SiC粒子均勻分散在PI基體中,復合薄膜的熱膨脹系數(shù)(CTE)隨著SiC含量的增加逐漸減小,SiC質量分數(shù)為15%時,CTE降低了11%,且復合膜的熱膨脹系數(shù)實驗值比較接近于Kerner公式的計算值。復合膜的介電常數(shù)和介電損耗隨著填料含量的變化而變化,但始終維持在較低的范圍內,并在相當大的頻率范圍內保持穩(wěn)定。


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