韓山師范學(xué)院黃銳等采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法低溫制備非晶氮化硅薄膜,在低溫下以氧氣為氣源,等離子體氧化非晶氮化硅薄膜,以這層薄作為有源層制備電致發(fā)光器件。實驗結(jié)果表明以此方法制備的器件在正向偏置電壓下可觀測到強烈的黃綠光,發(fā)光峰位于540nm,而且電致發(fā)光開啟電壓低,僅為6V,功耗小。光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜測量表明發(fā)光來自同一種發(fā)光中心,即與Si-O相關(guān)的發(fā)光中心。
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