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一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法
來(lái)源：中國(guó)粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間：2013-11-25 20:43:54    瀏覽次數(shù)：
專利名稱：一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法
專利持有人：上海華力微電子有限公司
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法，應(yīng)用于具有氮化硅層和氧化層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕工藝，且氮化硅層覆蓋于氧化層的上表面，方法包括：采用包含有添加劑的磷酸化學(xué)液對(duì)所述氮化硅層進(jìn)行刻蝕工藝；其中，添加劑的材質(zhì)為氮化硅和 或類...
信息描述
發(fā)明人：李芳,劉文燕,黃耀東   
申請(qǐng)人：上海華力微電子有限公司 
申請(qǐng)?zhí)枺?/strong>CN201310082090.9 
       本發(fā)明公開(kāi)了一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法，應(yīng)用于具有氮化硅層和氧化層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕工藝，且氮化硅層覆蓋于氧化層的上表面，方法包括：采用包含有添加劑的磷酸化學(xué)液對(duì)所述氮化硅層進(jìn)行刻蝕工藝；其中，添加劑的材質(zhì)為氮化硅和/或類氮化硅和/或間接轉(zhuǎn)化為氮化硅的物質(zhì)和/或氧化硅和/或類氧化硅和/或間接可以轉(zhuǎn)化為氧化硅的物質(zhì)；該方法從化學(xué)源頭解決工藝需求，省去進(jìn)行擋片的工藝步驟，在不減小刻蝕氮化硅速率的同時(shí)，有效控制化學(xué)液的反應(yīng)，節(jié)約產(chǎn)品制程的時(shí)間，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。



http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2013/1125/20131125084542368.pdf
 
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