中文字幕亚洲欧美一区_国产JIZZJIZZ免费看_亚洲av大码在线_亚洲黄色一级毛片_野花影视大全在线观看免费_欧美一区二区三区免费不卡_欧美日韩国产在线精品_国产福利盒子在线看片_精品国产人成在线_日韩欧美动漫一区在线

專利信息
您當前的位置：首頁 > 功能粉體 > 氮化硅 > 專利信息
 
 
一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法
來源：中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時間：2013-09-22 09:25:06    瀏覽次數(shù)：
專利名稱：一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法
專利持有人：上海華力微電子有限公司
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：本發(fā)明公開了一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，目的是提供一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法。該方法，優(yōu)化了工藝，減小成本，同時能夠改善器件性能。
信息描述
發(fā)明人：徐強   
申請人：上海華力微電子有限公司 
申請?zhí)枺?/strong>CN201210158843.5 
        本發(fā)明公開了一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法，其中，包括下列步驟：提供一種具有NMOS晶體管和PMOS晶體管的半導體襯底；在所述半導體襯底上沉積一層第一氮化硅層；在所述第一氮化硅層的表面沉積一層第二氮化硅層，所述第二氮化硅層為摻雜有雜質(zhì)元素的氮化硅層，所述第一氮化硅層和所述第二氮化硅層組成高拉應力的氮化硅薄膜；蝕刻所述PMOS晶體管表面，去除所述PMOS管表面的第一氮化硅層和第二氮化硅層；對所述半導體襯底進行快速熱退火工藝；對所述NMOS晶體管進行刻蝕，去除NMOS晶體管表面的第一氮化硅層和第二氮化硅層。本發(fā)明的目的是提供一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法。該方法，優(yōu)化了工藝，減小成本，同時能夠改善器件性能。


http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2013/0922/20130922092941221.pdf
 
相關(guān)信息 更多>>
一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法2013-09-22
一種提高氮化硅層和氧化層刻蝕選擇比的方法2013-11-25
氮化硅溶液及其制備方法、多晶硅鑄錠用坩堝及其制備方法2013-11-25
一種制備梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法2015-02-03
一種制備復雜形狀多孔氮化硅陶瓷制品的方法2016-02-16
 
我要評論
功能粉體
鈦白粉
氧化鐵顏料
珠光云母
白炭黑
炭黑
氧化鋁
粉煤灰
金屬硅
氧化鋅
碳化硅
氮化硅
硅灰
氫氧化鋁
鐵粉
鋁粉
銅粉
鋅粉
納米粉體
其他粉體技術(shù)
查看全部