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納米銀附著氧化鋅光電探測器的研究突破性進(jìn)展
來源：中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時間：2014-12-09 10:13:32    瀏覽次數(shù)：
 
納米銀附著氧化鋅光電探測器的研究突破性進(jìn)展
      （中國粉體技術(shù)網(wǎng)/班建偉）增強對入射光的吸收是提高光電探測器性能的重要途徑。傳統(tǒng)的薄膜型半導(dǎo)體探測器存在較強的表面反射，降低了對入射光的吸收，進(jìn)而影響了光電探測器的靈敏度。一維納米材料由于大的比表面積和良好的載流子傳輸通道，具有遠(yuǎn)大于體材料的光電導(dǎo)增益，是構(gòu)建納米光電探測器的基本單元。如何提高一維納米材料光電探測器對入射光的吸收效率，對納米材料光電探測器的研究具有重要意義。
       武漢光電國家實驗室高義華教授領(lǐng)導(dǎo)的研究小組，研究了金屬Ag納米顆粒附著ZnO納米線陣列的光吸收特性，實現(xiàn)了一種具有光吸收增強效應(yīng)的Ag納米顆粒-ZnO納米線陣列紫外光電探測器。首先通過化學(xué)氣相沉積法在GaN襯底上得到具有良好垂直度的ZnO納米線陣列，再用蒸鍍法在ZnO納米線陣列表面沉積Ag納米顆粒進(jìn)行表面修飾，最后實現(xiàn)器件組裝和測試。研究表明，得益于金屬納米顆粒的局域等離子效應(yīng)，經(jīng)過Ag納米顆粒修飾后的ZnO納米線陣列表現(xiàn)出明顯的光吸收增強特性，對365nm紫外光的光電響應(yīng)也顯著增強（開關(guān)比從13.2上升到89.7）。這種光吸收增強金屬/半導(dǎo)體納米線陣列的光電探測器的研究，對設(shè)計開發(fā)新型高性能的納米半導(dǎo)體材料光電探測器提供了新思路。

來源：中國科學(xué)院
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