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專利信息
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一種氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷的方法
來源:中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時間:2014-02-20 13:54:11    瀏覽次數(shù):
專利名稱:一種氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷的方法
專利持有人:武漢理工大學(xué)
所屬行業(yè):
內(nèi)容摘要:本發(fā)明是一種高孔隙率、高強度的氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷的制備方法,其原理為利用造孔劑和磷酸鹽粘結(jié)作用在較低溫度下形成高孔隙率的氮化硅多孔結(jié)構(gòu),在后續(xù)高溫?zé)七^程中利用納米硅粉的氮化原位生成氮化硅納米線,起到增強多孔陶瓷力學(xué)性能的作...
信息描述
發(fā)明人:陳斐,王開宇,李飛宇,沈強,張聯(lián)盟   
申請人:武漢理工大學(xué) 
申請?zhí)枺?/strong>CN201310157262.4 
       本發(fā)明是一種高孔隙率、高強度的氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷的制備方法,其原理為利用造孔劑和磷酸鹽粘結(jié)作用在較低溫度下形成高孔隙率的氮化硅多孔結(jié)構(gòu),在后續(xù)高溫?zé)七^程中利用納米硅粉的氮化原位生成氮化硅納米線,起到增強多孔陶瓷力學(xué)性能的作用;該方法包括以下步驟:(1)按質(zhì)量計,采用納米硅粉5~40%、α-氮化硅陶瓷粉料30~50%、造孔劑5~40%、氧化物粉3~10%、液體磷酸5~20%為初始原料,以質(zhì)量濃度99.7%乙醇為球磨介質(zhì)混合均勻,得到混合粉料;(2)將混合粉料采用200MPa冷等靜壓處理,得到成型樣品;(3)將成型樣品在較低溫度下進行熱處理,熱處理溫度為200~700℃,保溫時間為1~10小時,使磷酸與氧化物反應(yīng)形成起粘結(jié)作用的磷酸鹽,且造孔劑能夠充分排除形成高孔隙率的氮化硅多孔結(jié)構(gòu);(4)將熱處理后的產(chǎn)物放置在氣氛保護爐中,向爐中通入氮氣作為反應(yīng)氣體,按1~10℃/分鐘升溫速率加熱至1000~1500℃后保溫1~24小時,使納米硅粉與氮氣反應(yīng)生成氮化硅納米線;(5)隨爐冷卻至室溫;經(jīng)過上述步驟,得到所述的氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷。
       本發(fā)明設(shè)備工藝簡單,操作方便,無環(huán)境污染,成本低廉,所制備的高孔隙率、高強度的氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷可廣泛應(yīng)用于航空航天和高溫?zé)煔膺^濾等領(lǐng)域。


http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2014/0220/20140220015648364.pdf

 
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