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| 雙層氮化硅減反射膜及其制備方法 |
| 來源：中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時間：2014-02-20 13:42:17 瀏覽次數(shù)： |
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專利名稱：雙層氮化硅減反射膜及其制備方法
專利持有人：上海艾力克新能源有限公司
所屬行業(yè)：
內(nèi)容摘要：本發(fā)明公開了一種雙層氮化硅減反射膜及其制備方法。該雙層氮化硅減反射膜由上、下兩層氮化硅膜構(gòu)成，下層氮化硅膜厚度為10nm～15nm，折射率為2 2～2 5，上層氮化硅膜厚度為70nm～75nm，折射率為2 0～2 05。制備時，取拋光單晶硅片，設(shè)定沉積溫度、沉積... |
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發(fā)明人：戴熙明,陳博,武俊喜
申請人：上海艾力克新能源有限公司
申請?zhí)枺?/strong>CN201310060954.7
本發(fā)明公開了一種雙層氮化硅減反射膜及其制備方法。該雙層氮化硅減反射膜由上、下兩層氮化硅膜構(gòu)成，下層氮化硅膜厚度為10nm～15nm，折射率為2.2～2.5，上層氮化硅膜厚度為70nm～75nm，折射率為2.0～2.05。制備時，取拋光單晶硅片，設(shè)定沉積溫度、沉積壓強(qiáng)和沉積功率恒定，采用PEVCD工藝在硅片的行進(jìn)方向上設(shè)定兩組先小后大的氨氣與硅烷的氣流量比參數(shù)和沉積時間，制得雙層氮化硅減反射膜。本發(fā)明通過現(xiàn)有資源、在不添加其它設(shè)備等材料情況下、在同一臺設(shè)備上通過兩個工藝步驟達(dá)到制成兩層相同質(zhì)地但是不同性能參數(shù)的減反射膜、從而達(dá)到增加晶體硅表面鈍化效果、減少晶硅表面的太陽光反射效果、增加硅片對長短波的吸收、提高效率。
http://www.huaianlvs.cn/uploadfile/2014/0220/20140220015357211.pdf
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