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| 一種碳化硅微粉粒度檢測(cè)方法 |
| 本發(fā)明提供的碳化硅微粉粒度的檢測(cè)方法融合了電阻法與激光法兩種方法，配合針對(duì)不同型號(hào)的樣品選擇性的采用相對(duì)應(yīng)的分散方法，從而使碳化硅顆粒分散均勻、良好，進(jìn)而使粒度檢測(cè)數(shù)據(jù)更為科學(xué)、真實(shí)，精確度高。[詳細(xì)] |
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| 一種具有新型孔壁結(jié)構(gòu)的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法 |
| 一種具有新型孔壁結(jié)構(gòu)的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法，本發(fā)明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制備方法。本發(fā)明要解決現(xiàn)有方法制備的多孔碳化硅陶瓷力學(xué)性能低、比表面積低的技術(shù)問題。該多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉體、燒結(jié)...[詳細(xì)] |
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| 一種中高體分碳化硅鋁基復(fù)合材料的制備方法及其裝置 |
| 本發(fā)明公開了一種體積分?jǐn)?shù)為45%～70%的中高體分碳化硅鋁基復(fù)合材料的制備方法，并為該方法設(shè)計(jì)了專用保壓 排氣裝置。本發(fā)明采用壓力鑄造法，選用粗、細(xì)兩種不同粒徑的碳化硅材料為原料，根據(jù)碳化硅體積分?jǐn)?shù)的要...[詳細(xì)] |
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| 一種去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 |
| 本發(fā)明去除碳化硅基底上硅厚膜的方法屬于薄膜沉積技術(shù)領(lǐng)域，該方法可以在不損傷碳化硅基底和表面面形的前提下快速去除硅厚膜，克服了物理拋光法帶來的周期長、耗時(shí)多和容易改變碳化硅基底的鏡胚面形的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)問...[詳細(xì)] |
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| 一種高純線狀碳化硅粉及其制備方法 |
| 發(fā)明人：張丹，王世敏，董兵海，盧紅兵，趙麗，許祖勛，萬麗，丁巖峰申請(qǐng)人：湖北大學(xué)，武漢威林爐襯材料有限責(zé)任公司申請(qǐng)?zhí)枺篊N201210156070.7 一種高純線狀碳化硅粉及其制備方法，線狀碳化硅粉產(chǎn)品呈淺綠色、...[詳細(xì)] |
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| 高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法 |
| 發(fā)明人：高攀，陳建軍，嚴(yán)成鋒，劉熙，孔海寬，忻雋，鄭燕青，施爾畏申請(qǐng)人：上海硅酸鹽研究所中試基地，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所申請(qǐng)?zhí)枺篊N201210207135.6 本發(fā)明涉及一種高純碳化硅粉體的高溫固相合成方法...[詳細(xì)] |
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| 一種用油頁巖廢渣制備碳化硅粉體的方法 |
| 發(fā)明人：韓放，張振庭，鮑明福，高健，趙鑫，秦瑛博申請(qǐng)人：撫順礦業(yè)集團(tuán)有限責(zé)任公司申請(qǐng)?zhí)枺篊N201110044995.8 本發(fā)明公開了一種用油頁巖廢渣制備碳化硅粉體的方法，包括如下步驟：①粉磨；②酸浸；③水洗；④...[詳細(xì)] |
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| 用于半導(dǎo)體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法 |
| 發(fā)明人：胡小波，寧麗娜，李娟，王英民，徐現(xiàn)剛申請(qǐng)人：山東大學(xué)申請(qǐng)?zhí)枺篊N200810016665.6 本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法,包括以下步驟：(1)按摩爾比1∶1的比例取Si粉和C粉；...[詳細(xì)] |
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